一份(fen)電(dian)路(lu)在其輸出端(duan)串(chuan)接(jie)了(le)一個(ge)(ge)(ge)22K的(de)(de)電(dian)阻(zu),在其輸出端(duan)和輸入端(duan)之(zhi)間接(jie)了(le)一個(ge)(ge)(ge)10M的(de)(de)電(dian)阻(zu),這是由于連(lian)接(jie)晶(jing)振的(de)(de)芯片端(duan)內(nei)部是一個(ge)(ge)(ge)線性(xing)運算放大器,將輸入進行反向180度輸出,晶(jing)振處的(de)(de)負載(zai)電(dian)容(rong)電(dian)阻(zu)組成的(de)(de)網絡提供另外(wai)180度的(de)(de)相移,整個(ge)(ge)(ge)環(huan)路(lu)的(de)(de)相移360度,滿足振蕩(dang)的(de)(de)相位條件,同時還(huan)要求閉環(huan)增益大于等于1,晶(jing)體才正(zheng)常工作。
晶振(zhen)輸(shu)(shu)(shu)入輸(shu)(shu)(shu)出連接(jie)的(de)電阻(zu)作用是產(chan)生負反(fan)饋,保證放大器(qi)工作在高增益(yi)的(de)線性區(qu),一般在M歐級,輸(shu)(shu)(shu)出端的(de)電阻(zu)與負載電容組(zu)成網絡,提(ti)供180度相(xiang)移,同(tong)時起到限流的(de)作用,防止反(fan)向器(qi)輸(shu)(shu)(shu)出對晶振(zhen)過驅動(dong),損(sun)壞晶振(zhen)。
和晶(jing)振(zhen)串聯的電阻常用(yong)(yong)來預(yu)防晶(jing)振(zhen)被(bei)過分(fen)驅動(dong)。晶(jing)振(zhen)過分(fen)驅動(dong)的后果是將逐漸損(sun)耗減少(shao)晶(jing)振(zhen)的接觸電鍍(du),這(zhe)將引起頻率的上升,并導(dao)致晶(jing)振(zhen)的早期失(shi)效,又可以講(jiang)drive level調整用(yong)(yong)。用(yong)(yong)來調整drive level和發(fa)振(zhen)余裕度。
Xin和(he)Xout的(de)內部(bu)一(yi)般是(shi)一(yi)個(ge)施(shi)密特反(fan)(fan)相器(qi)(qi),反(fan)(fan)相器(qi)(qi)是(shi)不能驅(qu)動晶(jing)體(ti)震蕩的(de).因此,在(zai)反(fan)(fan)相器(qi)(qi)的(de)兩(liang)端并聯(lian)一(yi)個(ge)電(dian)阻,由電(dian)阻完成將輸出的(de)信號(hao)反(fan)(fan)向 180度反(fan)(fan)饋(kui)(kui)到輸入端形(xing)成負反(fan)(fan)饋(kui)(kui),構成負反(fan)(fan)饋(kui)(kui)放大電(dian)路.晶(jing)體(ti)并在(zai)電(dian)阻上,電(dian)阻與晶(jing)體(ti)的(de)等效阻抗是(shi)并聯(lian)關系,自己想一(yi)下是(shi)電(dian)阻大還是(shi)電(dian)阻小對晶(jing)體(ti)的(de)阻抗影響小大?
電阻(zu)(zu)的(de)作用(yong)是將電路(lu)(lu)內部(bu)的(de)反向器加一個反饋回路(lu)(lu),形(xing)成放大(da)器,當(dang)晶(jing)體并(bing)在(zai)其中會使(shi)反饋回路(lu)(lu)的(de)交流等效按照晶(jing)體頻(pin)率(lv)諧振,由(you)于晶(jing)體的(de)Q值非常高,因此電阻(zu)(zu)在(zai)很大(da)的(de)范圍變化(hua)都不會影響(xiang)輸(shu)出(chu)頻(pin)率(lv)。過去,曾經試驗此電路(lu)(lu)的(de)穩定性時,試過從100K~20M都可以(yi)正常啟振,但會影響(xiang)脈寬比的(de)。
晶(jing)體(ti)的(de)Q值(zhi)非常高(gao), Q值(zhi)是(shi)(shi)什么(me)意思呢? 晶(jing)體(ti)的(de)串聯等效阻抗是(shi)(shi) Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶(jing)體(ti)一(yi)般等效于(yu)一(yi)個Q很高(gao)很高(gao)的(de)電(dian)感,相當于(yu)電(dian)感的(de)導(dao)線電(dian)阻很小(xiao)很小(xiao)。Q一(yi)般達到10^-4量級。
避免信(xin)號太強打壞晶體的。電(dian)阻一(yi)般(ban)比(bi)較大,一(yi)般(ban)是幾百K。
串進去(qu)(qu)的電(dian)阻是(shi)(shi)用來限制振(zhen)蕩幅度的,并(bing)進去(qu)(qu)的兩顆電(dian)容根據LZ的晶(jing)振(zhen)為幾十(shi)MHZ一般是(shi)(shi)在20~30P左右(you),主要用與微調頻率和(he)波形,并(bing)影響幅度,并(bing)進去(qu)(qu)的電(dian)阻就(jiu)要看 IC spec了(le),有的是(shi)(shi)用來反饋(kui)的,有的是(shi)(shi)為過EMI的對策
可(ke)是(shi)轉化為 并聯等(deng)效阻抗后,Re越(yue)小(xiao),Rp就越(yue)大,這是(shi)有現成的(de)公式(shi)的(de)。晶體(ti)的(de)等(deng)效Rp很大很大。外面(mian)并的(de)電(dian)阻是(shi)并到這個Rp上(shang)的(de),于是(shi),降低(di)了Rp值(zhi) -----> 增大了Re -----> 降低(di)了Q